系统特征

序号

测试器件

01

二极管

02

晶体管NPN型/PNP型

03

J型场效应管

04

MOS场效应管

05

双向可控硅

06

可控硅

07

lGBT

08

硅触发可控硅

09

达林顿阵列

10

金属氧化物压变电阻

12

固态过压保护器

13

稳压、齐纳二极管

规格/环境：

栅极发射极

VGES:0-40V

分辨率0. 1V

lGES:0.1-10Ua

分辨率0.01uA

Vce:0V

集电极发射极

Vces:100-3000v

分辨率10V

lces:100UA-5mA

分辨率10uA

Vge:0V

Vge:0V

栅极发射极阈值电压

Vge(th):1-10V

分辨率0lV

集电极

发射极

饱和电压

VCE(sat):02-5V

分辨率0.01V

lCE:10-100A

分辨率1A

二极管

VF:0-5V

分辨率0.01V

lF:0-100A

分辨率1A

Vge:0V

二极管反向**

可恢复直流电压

Vces:100-3000V

分辨率10V

lces; 100UA-5mA

分辨率10uA